百恩威首创-急速冷却高性能Al-Si电子封装材料

    随着现代电子信息技术的飞速发展，电子系统及器件向着小型化、高集成、高可靠性的方向发展，这也对其电子封装材料提出了更高的要求。电子封装材料用于承载、保护芯片及其连接线路，必须同时具备良好的加工、焊接性能，足够的机械强度和刚度，良好的散热能力，合适的热膨性；用于航空领域的封装材料还要求有尽可能低的密度,严格的气密性等。封装材料的性能直接影响着整个电子部件的可靠性与寿命。现有封装材料如可伐合金（Kovar）、铜钼(Cu-Mo)等已难以同时满足以上要求，因此开发新型高性能封装材料迫在眉睫。

    Al-Si电子封装材料具有低热膨胀系数，高热导率，低密度，良好的加工、电镀、焊接性能，还可以通过调整Al和Si元素比例实现不同的热膨胀系数，尤其适合航天微波电路、大功率集成电路、载波器、电子光学框架等高精领域。此外铝和硅原材料资源丰富，价格低廉，环保无害，特别适合长期应用。因此，高性能Al-Si电子封装材料一直是国内外研究的热点。国外高性能Al-Si合金已经实现规模生产，如国外著名的Osprey公司生产的CE合金系列等；国内有北京有色院，北科大，北航，中南大学等研究机构进行了相关研究，但鲜有大规模工业化生产的报道。

    天津百恩威新材料科技有限公司(www.baienwei.com)经过数年的研发，成功开发出急速冷却技术用于生产高性能Al-Si电子封装材料。形成了高性能Al-Si原材料生产至精深加工产业链，具备年产原材料3600t，精加工壳体类30万套的产能。目前已通过了ISO9001：2008质量管理体系认证及国家军用标准(GJB)认证，进入批量化生产应用阶段。所生产的高性能Al-Si封装原材料显微组织细小、均匀、致密，加工和使用性能优异，质量稳定。急速冷却显微组织如图1所示。精加工封装壳体类产品尺寸精度高，电镀及焊接性优异，赢得了客户的认可，取得良好的经济和社会效益，并可根据客户使用需求提供产品专属定制服务。部分高性能Al-Si原材料性能见表1，某Al-Si蚀刻产品实物见图2。

图1  急速冷却Al-Si封装材料金相组织

图2 高性能Al-Si蚀刻产品（零件厚度0.127mm）

    急速冷却高性能Al-Si封装材料的成功研制和应用为我国电子信息技术的飞速发展提供了强有力支撑和保障。新型高性能Al-Si封装材料综合性能优异，密度小，价格低廉，必将替代昂贵、笨重的传统封装材料，拥有广阔的市场前景。